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Publications
Giant tunnel electroresistance for non-destructive readout of ferroelectric states, Nature online du 31 mai 2009 par V. Garcia et al.
Aujourd'hui, la plupart des appareils électroniques nomades utilisent des mémoires flash. Les mémoires ferroélectriques(1) sont plus rapides, mais présentent d'autres inconvénients (faible densité de stockage et destruction des données lors de la lecture notamment). Une équipe de l'Unité Mixte de Physique CNRS/Thales/Université Paris-Sud 11 a résolu ces problèmes(2) en montrant la faisabilité d'un nouveau type de mémoire basé sur l'association de deux phénomènes physiques : la ferroélectricité et l'effet tunnel. Ces mémoires auraient alors de nombreux avantages pour supplanter les mémoires flash. Extrait du communiqué de presse du CNRS, lire la suite du communiqué.
Ferroelectrics possess a polarization that is spontaneous, stable and electrically switchable, and submicrometre-thick ferroelectric films are currently used as non-volatile memory elements with destructive capacitive readout. Memories based on tunnel junctions with ultrathin ferroelectric barriers would enable non-destructive resistive readout. Extrait de l'article paru dans Nature, lien vers le site.